Diodes Incorporated - DMT6002LPS-13

KEY Part #: K6396414

DMT6002LPS-13 Preços (USD) [100912pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.38747
  • 2,500 pcs$0.32302

Número da peça:
DMT6002LPS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6002LPS-13 Atributos do produto

Número da peça : DMT6002LPS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 130.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6555pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.3W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI5060-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN