IRLZ34NPBF Preços (USD) [65399pcs Estoque]
- 1 pcs$0.45573
- 10 pcs$0.40472
- 100 pcs$0.30248
- 500 pcs$0.23459
- 1,000 pcs$0.18520
- Número da peça:
- IRLZ34NPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLZ34NPBF electronic components. IRLZ34NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLZ34NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLZ34NPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLZ34NPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
880pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
68W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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