ON Semiconductor - NTH027N65S3F-F155

KEY Part #: K6398555

NTH027N65S3F-F155 Preços (USD) [5589pcs Estoque]

  • 1 pcs$7.37291

Número da peça:
NTH027N65S3F-F155
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
SF3 FRFET 650V 27MOHM.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTH027N65S3F-F155 Atributos do produto

Número da peça : NTH027N65S3F-F155
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : SF3 FRFET 650V 27MOHM
Series : FRFET®, SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 7.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 259nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7690pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 595W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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