IXYS - IXFC20N80P

KEY Part #: K6408892

[471pcs Estoque]


    Número da peça:
    IXFC20N80P
    Fabricante:
    IXYS
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - JFETs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in IXYS IXFC20N80P electronic components. IXFC20N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFC20N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFC20N80P Atributos do produto

    Número da peça : IXFC20N80P
    Fabricante : IXYS
    Descrição : MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
    Series : HiPerFET™, PolarHT™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4680pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 166W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOPLUS220™
    Pacote / caso : ISOPLUS220™