IRFB4615PBF Preços (USD) [35830pcs Estoque]
- 1 pcs$0.99090
- 10 pcs$0.89641
- 100 pcs$0.72022
- 500 pcs$0.56017
- 1,000 pcs$0.46414
- Número da peça:
- IRFB4615PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IRFB4615PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFB4615PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1750pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
144W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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