[1408pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI2335DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI2335DS-T1-GE3 electronic components. SI2335DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2335DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI2335DS-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI2335DS-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
51 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1225pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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