[8765pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLH5036TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLH5036TRPBF electronic components. IRLH5036TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLH5036TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLH5036TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLH5036TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5360pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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