IXKP13N60C5 Preços (USD) [32219pcs Estoque]
- 1 pcs$1.47832
- 50 pcs$1.47097
- Número da peça:
- IXKP13N60C5
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXKP13N60C5 electronic components. IXKP13N60C5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKP13N60C5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXKP13N60C5 Atributos do produto
Número da peça :
IXKP13N60C5
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 440µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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