[4005pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFHM8363TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF electronic components. IRFHM8363TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM8363TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHM8363TR2PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFHM8363TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1165pF @ 10V
Potência - Max :
2.7W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
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