Infineon Technologies - IRFHM8363TR2PBF

KEY Part #: K6523918

[4005pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRFHM8363TR2PBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFHM8363TR2PBF Atributos do produto

    Número da peça : IRFHM8363TR2PBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1165pF @ 10V
    Potência - Max : 2.7W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 8-PowerVDFN
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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