Diodes Incorporated - ZXMN6A09DN8TA

KEY Part #: K6522253

ZXMN6A09DN8TA Preços (USD) [73350pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.53308
  • 500 pcs$0.48291

Número da peça:
ZXMN6A09DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A09DN8TA Atributos do produto

Número da peça : ZXMN6A09DN8TA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24.2nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1407pF @ 40V
Potência - Max : 1.25W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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