RD3T100CNTL1 Preços (USD) [150113pcs Estoque]
- 1 pcs$0.24640
- Número da peça:
- RD3T100CNTL1
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- NCH 200V 10A POWER MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RD3T100CNTL1 electronic components. RD3T100CNTL1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RD3T100CNTL1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RD3T100CNTL1 Atributos do produto
Número da peça :
RD3T100CNTL1
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
NCH 200V 10A POWER MOSFET
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.25V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
85W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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