STH3N150-2 Preços (USD) [19939pcs Estoque]
- 1 pcs$2.06688
- 1,000 pcs$1.83243
- Número da peça:
- STH3N150-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STH3N150-2 electronic components. STH3N150-2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STH3N150-2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STH3N150-2 Atributos do produto
Número da peça :
STH3N150-2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
Series :
PowerMESH™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
939pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
140W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
H²PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
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