FQA170N06 Preços (USD) [11389pcs Estoque]
- 1 pcs$3.61815
- 10 pcs$3.25501
- 100 pcs$2.67619
- 500 pcs$2.24224
- 1,000 pcs$1.95291
- Número da peça:
- FQA170N06
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQA170N06 electronic components. FQA170N06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA170N06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQA170N06 Atributos do produto
Número da peça :
FQA170N06
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
170A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
290nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3PN
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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