ON Semiconductor - FDMC2D8N025S

KEY Part #: K6393848

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Número da peça:
FDMC2D8N025S
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC2D8N025S Atributos do produto

Número da peça : FDMC2D8N025S
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 124A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4615pF @ 13V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 47W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Power33
Pacote / caso : 8-PowerWDFN