NTGS3130NT1G Preços (USD) [266518pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.13878
- Número da peça:
- NTGS3130NT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTGS3130NT1G electronic components. NTGS3130NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTGS3130NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTGS3130NT1G Atributos do produto
Número da peça :
NTGS3130NT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.23A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
935pF @ 16V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
600mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SOT-23-6
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