TPN2R805PL,L1Q Preços (USD) [231947pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15947
- Número da peça:
- TPN2R805PL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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TPN2R805PL,L1Q Atributos do produto
Número da peça :
TPN2R805PL,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Series :
U-MOSIX-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
45V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
139A (Ta), 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3.2nF @ 22.5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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