Diodes Incorporated - ZXMN3B04N8TA

KEY Part #: K6399805

ZXMN3B04N8TA Preços (USD) [123754pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29888
  • 500 pcs$0.27278

Número da peça:
ZXMN3B04N8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN3B04N8TA Atributos do produto

Número da peça : ZXMN3B04N8TA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 23.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2480pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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