IXFL38N100Q2 Preços (USD) [2131pcs Estoque]
- 1 pcs$22.34496
- 10 pcs$20.89529
- 100 pcs$18.11735
- Número da peça:
- IXFL38N100Q2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFL38N100Q2 electronic components. IXFL38N100Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFL38N100Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFL38N100Q2 Atributos do produto
Número da peça :
IXFL38N100Q2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
380W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS264™
Pacote / caso :
ISOPLUS264™
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