[13356pcs Estoque]
- Número da peça:
- NVF2955PT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NVF2955PT1G electronic components. NVF2955PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVF2955PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVF2955PT1G Atributos do produto
Número da peça :
NVF2955PT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
185 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
492pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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