IXTA02N250HV Preços (USD) [12004pcs Estoque]
- 1 pcs$3.79524
- 30 pcs$3.77636
- Número da peça:
- IXTA02N250HV
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA02N250HV electronic components. IXTA02N250HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA02N250HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA02N250HV Atributos do produto
Número da peça :
IXTA02N250HV
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
2500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
116pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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