SIZ350DT-T1-GE3 Preços (USD) [174547pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21190
- Número da peça:
- SIZ350DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ350DT-T1-GE3 electronic components. SIZ350DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ350DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ350DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIZ350DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20.3nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
940pF @ 15V
Potência - Max :
3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-Power33 (3x3)
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