Infineon Technologies - IRFS4010TRL7PP

KEY Part #: K6417749

IRFS4010TRL7PP Preços (USD) [40303pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.97016
  • 800 pcs$0.93132

Número da peça:
IRFS4010TRL7PP
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS4010TRL7PP Atributos do produto

Número da peça : IRFS4010TRL7PP
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 190A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9830pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 380W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB