STMicroelectronics - STD11NM60ND

KEY Part #: K6418088

STD11NM60ND Preços (USD) [51293pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.76231
  • 2,500 pcs$0.67468

Número da peça:
STD11NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD11NM60ND Atributos do produto

Número da peça : STD11NM60ND
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Series : FDmesh™ II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 90W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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