HTNFET-T Preços (USD) [214pcs Estoque]
- 1 pcs$228.88602
- 10 pcs$220.40876
- Número da peça:
- HTNFET-T
- Fabricante:
- Honeywell Aerospace
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 4-PIN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Honeywell Aerospace HTNFET-T electronic components. HTNFET-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTNFET-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HTNFET-T Atributos do produto
Número da peça :
HTNFET-T
Fabricante :
Honeywell Aerospace
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Series :
HTMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs (máx.) :
10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 28V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tj)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-Power Tab
Pacote / caso :
4-SIP
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