Honeywell Aerospace - HTNFET-T

KEY Part #: K6392635

HTNFET-T Preços (USD) [214pcs Estoque]

  • 1 pcs$228.88602
  • 10 pcs$220.40876

Número da peça:
HTNFET-T
Fabricante:
Honeywell Aerospace
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 4-PIN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Honeywell Aerospace HTNFET-T electronic components. HTNFET-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTNFET-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HTNFET-T Atributos do produto

Número da peça : HTNFET-T
Fabricante : Honeywell Aerospace
Descrição : MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Series : HTMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 5V
Vgs (máx.) : 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 28V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 50W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-Power Tab
Pacote / caso : 4-SIP