Diodes Incorporated - DMT10H017LPD-13

KEY Part #: K6522514

DMT10H017LPD-13 Preços (USD) [113872pcs Estoque]

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Número da peça:
DMT10H017LPD-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H017LPD-13 Atributos do produto

Número da peça : DMT10H017LPD-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.4 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28.6nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1986pF @ 50V
Potência - Max : 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI5060-8