TK17E80W,S1X Preços (USD) [22265pcs Estoque]
- 1 pcs$2.03603
- 50 pcs$1.63614
- 100 pcs$1.49067
- 500 pcs$1.20708
- 1,000 pcs$0.96581
- Número da peça:
- TK17E80W,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK17E80W,S1X electronic components. TK17E80W,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK17E80W,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK17E80W,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK17E80W,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 850µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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