IPD60R2K1CEBTMA1 Preços (USD) [8786pcs Estoque]
- 2,500 pcs$0.07755
- Número da peça:
- IPD60R2K1CEBTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPD60R2K1CEBTMA1 electronic components. IPD60R2K1CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R2K1CEBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD60R2K1CEBTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPD60R2K1CEBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Series :
CoolMOS™ CE
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 60µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
22W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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