IPB123N10N3GATMA1 Preços (USD) [104460pcs Estoque]
- 1 pcs$0.37431
- Número da peça:
- IPB123N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPB123N10N3GATMA1 electronic components. IPB123N10N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB123N10N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB123N10N3GATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPB123N10N3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.3 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 46µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2500pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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