[14185pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQA47P06
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQA47P06 electronic components. FQA47P06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA47P06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQA47P06 Atributos do produto
Número da peça :
FQA47P06
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
214W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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