Vishay Siliconix - SIUD402ED-T1-GE3

KEY Part #: K6421620

SIUD402ED-T1-GE3 Preços (USD) [1073108pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03447

Número da peça:
SIUD402ED-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIUD402ED-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SIUD402ED-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.2nC @ 8V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.25W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 0806
Pacote / caso : PowerPAK® 0806

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