CSD23381F4 Preços (USD) [1140504pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03243
- 3,000 pcs$0.02270
- Número da peça:
- CSD23381F4
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Texas Instruments CSD23381F4 electronic components. CSD23381F4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD23381F4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD23381F4 Atributos do produto
Número da peça :
CSD23381F4
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.14nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
-8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
236pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
3-PICOSTAR
Pacote / caso :
3-XFDFN
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