ON Semiconductor - FDS8813NZ

KEY Part #: K6416860

FDS8813NZ Preços (USD) [152811pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.27031
  • 2,500 pcs$0.26896

Número da peça:
FDS8813NZ
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS8813NZ Atributos do produto

Número da peça : FDS8813NZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4145pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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