IXFR120N20 Preços (USD) [5628pcs Estoque]
- 1 pcs$8.89560
- 30 pcs$8.85135
- Número da peça:
- IXFR120N20
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFR120N20 electronic components. IXFR120N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR120N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR120N20 Atributos do produto
Número da peça :
IXFR120N20
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
105A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
360nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9100pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
417W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS247™
Pacote / caso :
ISOPLUS247™
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