Número da peça :
SCT3022ALGC11
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET NCH 650V 93A TO247N
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
93A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 18.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
133nC @ 18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2208pF @ 500V
Dissipação de energia (máx.) :
339W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247N