Diodes Incorporated - DMG9N65CTI

KEY Part #: K6396421

DMG9N65CTI Preços (USD) [51668pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.31541

Número da peça:
DMG9N65CTI
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG9N65CTI Atributos do produto

Número da peça : DMG9N65CTI
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2310pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 13W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ITO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab