[4054pcs Estoque]
- Número da peça:
- PMDPB56XN,115
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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PMDPB56XN,115 Atributos do produto
Número da peça :
PMDPB56XN,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
170pF @ 15V
Potência - Max :
510mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN2020-6
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