IXFB70N60Q2 Preços (USD) [2773pcs Estoque]
- 1 pcs$17.18380
- 10 pcs$15.89582
- 100 pcs$13.57594
- Número da peça:
- IXFB70N60Q2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFB70N60Q2 electronic components. IXFB70N60Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB70N60Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFB70N60Q2 Atributos do produto
Número da peça :
IXFB70N60Q2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
70A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
265nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
12000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS264™
Pacote / caso :
TO-264-3, TO-264AA
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