STMicroelectronics - STP12N50M2

KEY Part #: K6415362

STP12N50M2 Preços (USD) [8342pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.18548
  • 10 pcs$1.01724
  • 100 pcs$0.81751
  • 500 pcs$0.63583
  • 1,000 pcs$0.52683

Número da peça:
STP12N50M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP12N50M2 Atributos do produto

Número da peça : STP12N50M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB
Series : MDmesh™ II Plus
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 85W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3

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