[1515pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLHS6342TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLHS6342TR2PBF electronic components. IRLHS6342TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHS6342TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLHS6342TR2PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLHS6342TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1019pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-PQFN (2x2)
Pacote / caso :
6-PowerVDFN
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