Infineon Technologies - IPG20N06S415ATMA2

KEY Part #: K6525199

IPG20N06S415ATMA2 Preços (USD) [124120pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29800
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Número da peça:
IPG20N06S415ATMA2
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S415ATMA2 Atributos do produto

Número da peça : IPG20N06S415ATMA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2260pF @ 25V
Potência - Max : 50W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8-4

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