ON Semiconductor - FDMS3572

KEY Part #: K6418068

FDMS3572 Preços (USD) [81155pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.48421
  • 3,000 pcs$0.48180

Número da peça:
FDMS3572
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3572 Atributos do produto

Número da peça : FDMS3572
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
Series : UltraFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2490pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-MLP (5x6), Power56
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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