IXTP05N100M Preços (USD) [41564pcs Estoque]
- 1 pcs$1.08728
- 50 pcs$1.08188
- Número da peça:
- IXTP05N100M
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IXTP05N100M Atributos do produto
Número da peça :
IXTP05N100M
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
700mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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