IXFA80N25X3 Preços (USD) [14104pcs Estoque]
- 1 pcs$3.21270
- 10 pcs$2.89055
- 100 pcs$2.37661
- 500 pcs$1.99120
- 1,000 pcs$1.73426
- Número da peça:
- IXFA80N25X3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
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IXFA80N25X3 Atributos do produto
Número da peça :
IXFA80N25X3
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
83nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5430pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
390W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AA
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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