DMN13H750S-13 Preços (USD) [462518pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07997
- 10,000 pcs$0.07048
- Número da peça:
- DMN13H750S-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 130V 1A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN13H750S-13 electronic components. DMN13H750S-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN13H750S-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN13H750S-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN13H750S-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
130V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
231pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
770mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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