Microchip Technology - TN0610N3-G-P013

KEY Part #: K6392819

TN0610N3-G-P013 Preços (USD) [116405pcs Estoque]

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  • 2,000 pcs$0.32391

Número da peça:
TN0610N3-G-P013
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN0610N3-G-P013 Atributos do produto

Número da peça : TN0610N3-G-P013
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 500mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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