RHU002N06T106 Preços (USD) [1470462pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02781
- 3,000 pcs$0.02767
- Número da peça:
- RHU002N06T106
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RHU002N06T106 electronic components. RHU002N06T106 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RHU002N06T106, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RHU002N06T106 Atributos do produto
Número da peça :
RHU002N06T106
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
15pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
UMT3
Pacote / caso :
SC-70, SOT-323
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