IXYS - IXTQ130N15T

KEY Part #: K6416815

IXTQ130N15T Preços (USD) [20078pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.37219
  • 30 pcs$2.36039

Número da peça:
IXTQ130N15T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ130N15T Atributos do produto

Número da peça : IXTQ130N15T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
Series : TrenchHV™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 130A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9800pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 750W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3