ON Semiconductor - FCH041N65EFLN4

KEY Part #: K6412995

FCH041N65EFLN4 Preços (USD) [9061pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.54803

Número da peça:
FCH041N65EFLN4
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
SF2 650V 44MOHM F TO2474L.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH041N65EFLN4 Atributos do produto

Número da peça : FCH041N65EFLN4
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : SF2 650V 44MOHM F TO2474L
Series : FRFET®, SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 7.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 298nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 12560pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 595W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-4
Pacote / caso : TO-247-4

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