[61060pcs Estoque]
- Número da peça:
- NVD5890NT4G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NVD5890NT4G electronic components. NVD5890NT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVD5890NT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVD5890NT4G Atributos do produto
Número da peça :
NVD5890NT4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
24A (Ta), 123A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4760pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
4W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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