Taiwan Semiconductor Corporation - TSM045NB06CR RLG

KEY Part #: K6409564

TSM045NB06CR RLG Preços (USD) [142736pcs Estoque]

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Número da peça:
TSM045NB06CR RLG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM045NB06CR RLG Atributos do produto

Número da peça : TSM045NB06CR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta), 104A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6870pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PDFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN